1.
Вплив легування на ефективність роботи GaAs - діодів з бічною границею на основі варізонного GaInAs. radiophysics [інтернет]. 26, Грудень 2023 [цит. за 25, Жовтень 2026];(39):27-35. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/24697