«Вплив легування на ефективність роботи GaAs - діодів з бічною границею на основі варізонного GaInAs». Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», вип. 39, Грудень 2023, с. 27-35, https://doi.org/10.26565/2311-0872-2023-39-03.