«Вплив легування на ефективність роботи GaAs - діодів з бічною границею на основі варізонного GaInAs» (2023) Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (39), с. 27–35. doi:10.26565/2311-0872-2023-39-03.