Вплив легування на ефективність роботи GaAs - діодів з бічною границею на основі варізонного GaInAs. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», n. 39, p. 27–35, 26 Груд2023.