Вплив легування на ефективність роботи GaAs - діодів з бічною границею на основі варізонного GaInAs. (2023). Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», 39, 27-35. https://doi.org/10.26565/2311-0872-2023-39-03