[1]
2021. Особливості розвитку ударної іонізації в напівпровідникових сполуках InGaN та InAlN. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка». 34 (Чер 2021), 19–28. DOI:https://doi.org/10.26565/2311-0872-2021-34-03.