«Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками». Журнал фізики та інженерії поверхні 3, no. 2 (Серпень 7, 2019): 57–67. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665.