[1]
«Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками», ЖФІП, вип. 3, вип. 2, с. 57–67, Сер 2019, дата звернення: Жов 24, 2026. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665