«Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками» (2019) Журнал фізики та інженерії поверхні, 3(2), с. 57–67. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665 (дата звернення: 24 Жовтень 2026).