«Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками». 2019. Журнал фізики та інженерії поверхні 3 (2): 57-67. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665.