Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками. Журнал фізики та інженерії поверхні, v. 3, n. 2, p. 57–67, 7 Сер2019.