Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками. (2019). Журнал фізики та інженерії поверхні, 3(2), 57-67. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665