Жураев Н, Халилов М, Отажонов С, Алимов Н. Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. ЖФІП [інтернет]. 19, Липень 2017 [цит. за 07, Травень 2024];2(1):26 -29. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738