Маматкаримов ОО, Хамидов РХ, Жабборов РГ, Туйчиев УА, Кучкаров БХ. Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. ЖФІП [інтернет]. 29, Вересень 2012 [цит. за 21, Листопад 2024];10(4):418 -422. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162