Жураев, Н., М. Халилов, С. Отажонов, і Н. Алимов. «Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах P-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями». Журнал фізики та інженерії поверхні 2, no. 1 (Липень 19, 2017): 26 - 29. дата звернення Травень 7, 2024. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738.