Быткин, С. В., і Т. В. Критская. «Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками». Журнал фізики та інженерії поверхні 3, no. 2 (Серпень 7, 2019): 57-67. дата звернення Листопад 23, 2024. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665.