Маматкаримов, О. О., Р. Х. Хамидов, Р. Г. Жабборов, У. А. Туйчиев, і Б. Х. Кучкаров. «Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску». Журнал фізики та інженерії поверхні 10, no. 4 (Вересень 29, 2012): 418 - 422. дата звернення Листопад 21, 2024. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162.