Жураев, Н., М. Халилов, С. Отажонов, і Н. Алимов. «Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах P-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями». Журнал фізики та інженерії поверхні, вип. 2, вип. 1, Липень 2017, с. 26 -29, https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738.