Быткин, С. В., і Т. В. Критская. «Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками». Журнал фізики та інженерії поверхні, вип. 3, вип. 2, Серпень 2019, с. 57-67, https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665.