[1]
Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, і Н. Алимов, «Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями», ЖФІП, вип. 2, вип. 1, с. 26 - 29, Лип 2017.