[1]
И. Б. Сапаев і Ш. А. Мирсагатов, «Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода», ЖФІП, вип. 12, вип. 2, с. 197-201, Лип 2017.