С. В. Быткин і Т. В. Критская, «Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками», ЖФІП, вип. 3, вип. 2, с. 57-67, Сер 2019.