О. О. Маматкаримов, Р. Х. Хамидов, Р. Г. Жабборов, У. А. Туйчиев, і Б. Х. Кучкаров, «Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску», ЖФІП, вип. 10, вип. 4, с. 418 - 422, Вер 2012.