[1]
А. П. Бахтінов, В. М. Водоп’янов, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринський, і В. В. Нетяга, «Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO3», ЖФІП, вип. 10, вип. 4, с. 350-359, Жов 2012.