Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С. і Алимов, Н. (2017) «Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями», Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), с. 26 - 29. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738 (дата звернення: 7Травень2024).