Быткин, С. В. і Критская, Т. В. (2019) «Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками», Журнал фізики та інженерії поверхні, 3(2), с. 57-67. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665 (дата звернення: 29Квітень2024).