Маматкаримов, О. О., Хамидов, Р. Х., Жабборов, Р. Г., Туйчиев, У. А. і Кучкаров, Б. Х. (2012) «Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску», Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), с. 418 - 422. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162 (дата звернення: 21Листопад2024).