1. Быткин С.В., Критская Т.В. Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками // Журнал фізики та інженерії поверхні. 2019. № 2 (3). C. 57-67.