1. Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х., Жабборов Р.Г., Туйчиев У.А., Кучкаров Б.Х. Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску // Журнал фізики та інженерії поверхні. 2012. № 4 (10). C. 418 - 422.