Быткин, С. В., і Т. В. Критская. 2019. «Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками». Журнал фізики та інженерії поверхні 3 (2), 57-67. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665.