МАМАТКАРИМОВ, О. О.; ХАМИДОВ, Р. Х.; ЖАББОРОВ, Р. Г.; ТУЙЧИЕВ, У. А.; КУЧКАРОВ, Б. Х. Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. Журнал фізики та інженерії поверхні, v. 10, n. 4, p. 418 - 422, 29 Вер 2012.