Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., & Алимов, Н. (2017). Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), 26 - 29. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738