Быткин, С. В., & Критская, Т. В. (2019). Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками. Журнал фізики та інженерії поверхні, 3(2), 57-67. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13665