(1)
Маматкаримов, О. О.; Хамидов, Р. Х.; Жабборов, Р. Г.; Туйчиев, У. А.; Кучкаров, Б. Х. Relaxation Changes in the Mobility and Concentration of Charge Carriers in Si With Deep Impurity Levels under the Action of Pulsed Pressure. ЖФІП 2012, 10, 418 - 422.