(1)
Маматкаримов, О. О.; Хамидов, Р. Х.; Жабборов, Р. Г.; Туйчиев, У. А.; Кучкаров, Б. Х. Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. ЖФІП 2012, 10, 418 - 422.