[1]
Сапаев, И.Б. і Мирсагатов, Ш.А. 2017. Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода. Журнал фізики та інженерії поверхні. 12, 2 (Лип 2017), 197-201.