Быткин, С.В. і Критская, Т.В. 2019. Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p+n структур при опроміненні α-частинками. Журнал фізики та інженерії поверхні. 3, 2 (Сер 2019), 57-67.