«he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied». Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», вип. 23, Грудень 2016, с. 52-56, https://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775.