«he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied» (2016) Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», (23), с. 52–56. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775 (дата звернення: 24 Жовтень 2026).