«he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied». 2016. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», вип. 23 (Грудень): 52-56. https://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775.