Berkutov, I. B., V. V. Andrievskii, Y. F. Komnik, Y. A. Kolesnichenko, A. I. Berkutova, O. A. Mironov, і N. V. Gleyzer. «He Characteristic Parameters of Charge Carriers in the P-Type Si0.2Ge0.8 Quantum Well With Two Subbands Occupied». Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», вип. 23, Грудень 2016, с. 52-56, https://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775.