1. Berkutov I.B., Andrievskii V.V., Komnik Y.F., Kolesnichenko Y.A., Berkutova A.I., Mironov O.A., Gleyzer N.V. he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика». 2016. № 23. C. 52-56.