Berkutov, I.B., Andrievskii, V.V., Komnik, Y.F., Kolesnichenko, Y.A., Berkutova, A.I., Mironov, O.A. і Gleyzer, N.V. 2016. he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика». 23 (Груд 2016), 52-56.