Геометрично зумовлене підсилення електричного поля в планарних і радіальних Si/GaAs гетеропереходах за неповної іонізації. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 07, Вересень 2026 [цит. за 23, Жовтень 2026];(3):516-25. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/29135