1.
Виготовлення та електричні транспортні властивості трьохбар’єрних структур GaAs типу M–p–n–M. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 10, Червень 2026 [цит. за 24, Жовтень 2026];(2):373-8. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/28754