Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 10, Червень 2026 [цит. за 25, Жовтень 2026];(2):251-9. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/28393