Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 08, Грудень 2025 [цит. за 24, Жовтень 2026];(4):442-8. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/26697