1.
Роль типів рекомбінації у межах ефективності радіальних p-n переходів на основі Si та GaAs. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 09, Червень 2025 [цит. за 24, Жовтень 2026];(2):252-7. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/25875