«Геометрично зумовлене підсилення електричного поля в планарних і радіальних Si/GaAs гетеропереходах за неповної іонізації». Східно-європейський фізичний журнал, no. 3 (Вересень 7, 2026): 516–525. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/29135.