«Моделювання впливу неповної іонізації домішок на вбудований потенціал і вольт-фарадні (C–V) характеристики p–n переходів GaN: дослідження за допомогою SCAPS-1D». Східно-європейський фізичний журнал, no. 2 (Червень 10, 2026): 251–259. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/28393.