«Гетеропереходи pSi/n-CdₓS₁₋ₓ, створені за допомогою технології BANDGAP: вплив складу на оптоелектронні властивості». Східно-європейський фізичний журнал, no. 4 (Грудень 8, 2025): 442–448. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/26697.